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Next-generation memory 1 million times faster than flash memory !

Next-generation flash memory

V-Memory 는

 

V-memory기술은 차세대 비 휘발성 메모리
기술의 문제점을 극복 할뿐만 아니라 기존 플래시 메모리 공정 기술의 통합 한계를 높일 수 있는 기술을 제공합니다.

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Why choose V-memory?

차세대 플래시 메모리 V-memory

100배 이상 속도 / 반영구적 수명 / 반영구적 데이터 보존

Why now?

4차 산업혁명 IoT, 빅데이터의 성장

클라우드 사용 증가 5G 성장

Problem

메모리 셀 속도, 집적도의 한계,

생산비용 상승, 기술적인 한계

Solution

차세대 반도체 제조 기술

‘ V-memory ’

100만 배 속도 차이란?

“바” 라는 한 글자를 타이핑 할 때 

성경책 3권이상을 타이핑 할 수 있는 속도 입니다.

플래시 메모리보다 100만배 이상 빠른 속도

긴 수명의 차세대 반도체 메모리 ‘v-memory’ 브이메모리㈜ 가 보유한 기술은

5G, 자율주행, 빅데이터, 4차 산업혁명의 핵심 기술 입니다.

V-memory 열전소자 (V-ET)

열전 반도체란?

 

전기에너지를 냉각 / 열에너지로 변환시켜 주거나, 냉각 / 열에너지를 전기에너지로 변환시켜 주는 장치이다.

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Why now?

국내외 탄소중립 목표 선언
기후변화 문제 심각성 인식
친환경 에너지 사업의 확대

Problem

화력발전소  →  온실가스 배출

냉매 사용  →  온실효과

자동차 매연  →  온실가스 배출

Solution

친환경 고효율 열전 반도체 기술

세계최고 효율(zT 1.3)

기존제품대비 50%전력 저감

기존제품대비 50%빠른 냉각

V-ET 세계최고 성능의 열전소자

열을 전기로 바꾸는 차세대 신성장에너지

고성능 무한 에너지

열전소자의 최대 장점은 지구의 모든 열원에서 에너지 확보가 가능하다는 점입니다.

이는 에너지원이 고갈될 염려가 없을 의미합니다.

열전소자는 냉각과 가열이 모두 가능하고, 상온 부근에서의 낮은 온도차에 의해서도 에너지 확보가 가능합니다.

CEO MASSAGE

V-메모리의 비즈니스는 더 나은 삶과 더 나은 환경 보호를 추구합니다.

우리에게는 차세대 고속 메모리 장치와 고성능 열전 냉각 재료/기기라는 두 가지 주요 비즈니스 항목이 있습니다.

차세대 반도체 연구는 최근 반도체 통합의 한계로 인해 세계적으로 심화되고 있다. 미래 기술은 4차 산업혁명 시대에 인공지능(AI), 빅데이터, 사물인터넷(IOT)이 필수적이기 때문에 엄청난 데이터 저장과 빠른 처리속도가 요구된다. 따라서 차세대 반도체는 기존 반도체보다 빠른 속도와 높은 통합, 뛰어난 안정성을 필요로 한다.

V-메모리는 2018년 University Lab의 신생 기업으로 현재의 반도체 기술 한계를 극복하고 미래의 기술 요구를 해결할 수 있는 차세대 메모리 장치를 상용화했습니다.

V메모리가 제안한 반도체는 안정성이 뛰어난 기존 반도체보다 속도가 100만 배나 빠르다. 브이메모리 30개 이상의 특허를 가진 독창적인 기술을 가지고 있습니다. 우리는 뛰어난 반도체 기술을 통해 세계적인 반도체 회사를 추구하고 있습니다.

 우리는 열전 재료와 장치에 대한 기본적인 특허를 가지고 있습니다. 넓은 온도 범위에서 높은 열전 특성 수치를 보여줍니다. 첨단 열전소재는 소형 냉장고, 기기냉각, 유용한 소형 열관리시스템 등 효율적인 냉각장비에 적용할 수 있다. 현재 열전 소자 시장은 틈새시장에 머물러 있지만 차세대 냉각 기술로서 점진적으로 확대될 수 있을 것으로 본다. 열전 성능을 향상시키기 위한 우리의 노력은 열전 애플리케이션의 시장 성장을 가속화할 수 있습니다.
 우리는 끊임없는 변화와 성장을 통해 세계적인 반도체 기업이 될 수 있도록 최선을 다할 것을 약속드립니다.

HISTORY

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특허출원 47건

특허등록 8건

PCT 출원 3견

JAN- TIPS PRJ 진행중

특허출원 45건

특허등록 8건

PCT 출원 3견

MAR – 흥덕IT밸리 입주

JUN – 연구장비활용 PRJ(연구집중형)

DEC – TIPS PRJ 선정

특허출원 31건

특허등록 4건

PCT 출원 3견

JAN – 울산대학교U2A 제2호

         개인투자조합 투자 유치

FEB –  벤처기업 인증

MAR – 한국나노기술원 입주

       – 법인 소재지 이전

MAY – 기술평가 우수기업인증(T-S)

       – 기술 보증기금 유테크 보증서 취득

JUN –  연구장비활용PRJ

      – 초기창업패키지PRJ

JUL – 기업부설연구소 설립

특허출원 10건

JUL – 브이메모리㈜ 설립

SEP – 액트너랩 투자유치

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